Uusi muistitekniikka yhdistää RAM- ja flash-muistin

uutinen julkaistu:27 tammikuuta, 2011

North Carolina State Universityn tutkijat ovat kehittäneet uudenlaisen DFG-FET-muistitekniikan (Dual-Floating Gate Field Effect Transistor), joka yhdistää haihtuvien ja haihtumattomien muistien ominaisuudet. Tavallisissa tietokoneissa käytetän tällä hetkellä keskusmuistia (RAM), joka varastoi tietoa vain sen aikaa kun tietokone on päällä. Tieto "haihtuu" kun muistien läpi ei kulje virtaa. ...

Lue uutinen kokonaisuudessaan
  • #1
    Tämän tekniikan olen aina uskonut olevan mahdollista ja nyt se on vasta kehitetty. Toivottavasti tällaista tullaan näkemään kauppojen hyllyillä 2020-luvulla.
  • #2
    Itse olen aina suhtautunut tällaiseen muistiin kriittisesti. Toki se kuulostaa teoriassa hyvältä, mutta entäs tapaukset, joissa kone menee jumiin tai vaatii uudelleenkäynnistyksen. Muistin kirjoittaminen täyteen nollia, ei voi olla käytännöllinen ratkaisu.

    Kovalevyn korvikkeena tällaisella ei olisi muita huonoja puolia kuin hinta.
    Viestiä on muokattu sen lähettämisen jälkeen. Viestiä on muokattu viimeksi 28. tammikuu, 2011 @ 11:22
Tämä viestiketju on suljettu, johtuen siitä, että ketjun uusimmasta viestistä on kulunut yli 600 vuorokautta. Käytännössä tämä tarkoittaa sitä, että et voi vastata tähän viestiketjuun lainkaan.

Mikäli sinulla on lisättävää tai kysyttävää tähän samaan aiheeseen liittyen, ole hyvä ja aloita aiheesta uusi viestiketju tämän sivun kautta.